Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor BCW30 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: BCW30

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BCW30 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.35

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 20

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 150

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 7

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 215

Wytwórca:

CIAŁO: TO236

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: BCW30CSM , BCW30LT3 , BCW30R , BCW31LT1 , BCW31LT3 , BCW32CSM , BCW32LT3 , BCW37 , BCW46A , BCW51A , BCW55 , BCW60A , BCW60D , BCW61D , BCW61RA , BCW65C , BCW65RA , BCW66RG , BCW68RG , BCW73 , BCW75-16 , BCW79 , BCW80 , BCW84B , BCW90B , BCW91B , BCW93B , BCW96 , BCW96KA , BCX17 , BCX18R

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved