Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2N2779 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2N2779

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N2779 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 200

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 250

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 15

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 30

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 175

Maksymalna częstotliwość (Ft): 0.5

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 10

Wytwórca:

CIAŁO: TO61

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2N277A , 2N2780 , 2N2781 , 2N2784 , 2N2784-46 , 2N2786A , 2N2788 , 2N2797 , 2N2800-46 , 2N2809A , 2N2811 , 2N2824 , 2N283 , 2N2847 , 2N2849-2 , 2N2853-3 , 2N2854-1 , 2N2856-3 , 2N2865 , 2N2877 , 2N2886 , 2N2894DCSM , 2N2898 , 2N2905 , 2N2906CSM , 2N2908 , 2N2915DCSM , 2N2924 , 2N2926-2 , 2N2933 , 2N2939

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved