Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor BC858CWT1 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: BC858CWT1

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BC858CWT1 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.3

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 30

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 5

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.1

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft): 300

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 6

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 520

Wytwórca:

CIAŁO: SOT323

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: BC859 , BC859ALT1 , BC859AR , BC859B , BC859BLT1 , BC859BWT1 , BC859CLT1 , BC860B , BC860CLT1 , BCAP07B , BCAP08C , BCAP77 , BCAP79 , BCF29R , BCF32R , BCP48 , BCP51 , BCP52-16T1 , BCP54-10T3 , BCP56-10 , BCP628A , BCR112 , BCR119S , BCR148 , BCR183 , BCR196 , BCR521 , BCV61 , BCV61B , BCW10L , BCW12

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved