Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SD730 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SD730

Materiał: Si

Typ przewodnictwa: NPN

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SD730 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 125

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce): 100

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 7

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 25

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 150

Maksymalna częstotliwość (Ft):

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 10000

Wytwórca:

CIAŁO: TO3

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SD73-0 , 2SD732 , 2SD732K , 2SD734 , 2SD734D , 2SD734G , 2SD736 , 2SD745A , 2SD748A , 2SD75A , 2SD761 , 2SD772 , 2SD777 , 2SD780DW5 , 2SD781 , 2SD794AY , 2SD794R , 2SD801 , 2SD814 , 2SD824 , 2SD829 , 2SD838 , 2SD841 , 2SD850 , 2SD857 , 2SD859B , 2SD864 , 2SD878 , 2SD880G , 2SD890 , 2SD893A

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved