Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SB66 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SB66

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SB66 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 0.15

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce):

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 12

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 0.07

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 75

Maksymalna częstotliwość (Ft): 0.6

Pojemność kolektora (Cc), Pf: 60

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 70

Wytwórca:

CIAŁO: TO1

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SB668 , 2SB669 , 2SB669A , 2SB670 , 2SB670A , 2SB672 , 2SB673 , 2SB68 , 2SB686O , 2SB696 , 2SB698 , 2SB705 , 2SB708 , 2SB716A , 2SB720 , 2SB736BW3 , 2SB736BW5 , 2SB742 , 2SB750A , 2SB756 , 2SB760 , 2SB764E , 2SB766 , 2SB776E , 2SB782 , 2SB790 , 2SB798DM , 2SB805KK , 2SB806KP , 2SB816D , 2SB819

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved