Parametry tranzystorów
 
 

Parametry tranzystorów

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

Tranzystor 2SB259 . Parametry tranzystorów bipolarnych.

Typ: 2SB259

Materiał: Ge

Typ przewodnictwa: PNP

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SB259 (Datasheet)

Maksymalna dopuszczalna moc strat (Pc): 60

Dopuszczalne napięcie kolektor-baza (Ucb): 80

Maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter (Uce):

Dopuszczalne napięcie baza-emiter (Ueb): 1

Maksymalny prąd kolektora (Ic max): 15

Ograniczenie temperatury pn-junction (Tj): 75

Maksymalna częstotliwość (Ft): 0.7

Pojemność kolektora (Cc), Pf:

Współczynnik wzmocnienia prądowego (Hfe), min/max: 35

Wytwórca:

CIAŁO: TO36

Zastosowanie tranzystora:

Zobacz także: 2SB25A , 2SB260 , 2SB261 , 2SB264 , 2SB265 , 2SB268 , 2SB26A , 2SB278 , 2SB283 , 2SB295 , 2SB300 , 2SB313 , 2SB319 , 2SB33 , 2SB332 , 2SB341H , 2SB343 , 2SB351A , 2SB358H , 2SB368H , 2SB374 , 2SB380B , 2SB384 , 2SB398 , 2SB405ST , 2SB410S , 2SB42 , 2SB432 , 2SB434G , 2SB442H , 2SB444B

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved