Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

75309P3 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 75309P3

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 45

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 55

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 19

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 75309P3 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 350

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.07

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 75321D3 , 75321S , 75329G , 75333P , 75333S , ALD1101DA , APT1003R5BN , APT1004R2CN , APT10M11JVR , APT10M25BVR , APT20M45BVR , APT30M19JVR , APT30M40JVR , APT30M70BVR , APT40M35JVR , APT40M70LVR , APT5024BVR ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved