Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUK7C10-75AITE - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUK7C10-75AITE

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 272

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 75

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 75

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUK7C10-75AITE (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.01

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUK7E04-40A , BUK7E11-55B , BUK7E2R3-40C , BUK7L11-34ARC , BUK7Y07-30B , BUK7Y20-30B , BUK9506-40B , BUK9509-75A , BUK9535-55A , BUK9604-40A , BUK9623-75A , BUK9629-100B , BUK9635-100A , BUK964R2-55B , BUK9C10-65BIT , BUK9E06-55B , BUK9Y19-75B ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved