Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUK6E3R2-55C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUK6E3R2-55C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 306

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 55

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 120

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUK6E3R2-55C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0032

WYTWÓRCA:

CIAŁO: I2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUK6E3R4-40C , BUK7105-40AIE , BUK7105-40ATE , BUK7108-40AIE , BUK7109-75AIE , BUK72150-55A , BUK75150-55A , BUK7526-100B , BUK7606-75B , BUK7609-75A , BUK764R0-55B , BUK7660-100A , BUK7675-55A , BUK7905-40AIE , BUK7E11-55B , BUK7L06-34ARC , BUK9217-75B ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved