Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUK652R1-30C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUK652R1-30C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 263

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 120

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUK652R1-30C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0024

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUK652R3-40C , BUK653R2-55C , BUK653R3-30C , BUK654R0-75C , BUK654R6-55C , BUK661R9-40C , BUK7214-75B , BUK7226-75A , BUK7510-55AL , BUK7515-100A , BUK7606-55B , BUK7608-40B , BUK7609-55A , BUK7611-55A , BUK762R7-30B , BUK763R4-30B , BUK7E07-55B ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved