Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BSS192 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BSS192

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 240

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.2

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BSS192 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 12

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT89

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BSS83 , BSS84AKM , BSS84AKS , BSS87 , BST82 , BUK6215-75C , BUK661R8-30C , BUK663R5-30C , BUK714R1-40BT , BUK72150-55A , BUK7510-100B , BUK7513-75B , BUK75150-55A , BUK7520-55A , BUK754R3-40B , BUK7575-55A , BUK762R0-40C ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved