Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BLS7G2933S-150 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BLS7G2933S-150

Technologia: LDMOS

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 32

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 33

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BLS7G2933S-150 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.135

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT922-1

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BLS7G3135L-350P , 2SK3408 , BSH103 , BSH114 , BSH121 , BSP110 , BUK6213-30C , BUK6246-75C , BUK655R0-75C , BUK661R9-40C , BUK7109-75ATE , BUK7210-55B , BUK7214-75B , BUK7222-55A , BUK7506-75B , BUK7508-55A , BUK754R0-55B ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved