Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BLL1214-35 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BLL1214-35

Technologia: LDMOS

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 110

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 36

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BLL1214-35 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.3

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT467C

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BLL6H0514-25 , BLL6H0514LS-130 , BLL6H1214-500 , BLM6G10-30G , BLM6G22-30 , 2SJ559 , BSP100 , BSP225 , BUK6209-30C , BUK6215-75C , BUK654R8-40C , BUK6610-75C , BUK661R8-30C , BUK662R7-55C , BUK7105-40AIE , BUK7107-55ATE , BUK7506-55B ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved