Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

3SK79 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 3SK79

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 18

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.03

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 3SK79 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 3000

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 200

WYTWÓRCA:

CIAŁO: MACROX

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 3SK80 , 3SK82 , 3SK83 , 3SK87AL , 3SK88 , 40601 , ALD1101BPA , APT1001R1BVFR , APT1002R4CN , APT1003R5CN , APT10M11B2VR , APT10M19BVR , APT10M25BVFR , APT1201R6BVR , APT20M26WVR , APT20M40BVR , APT4030CNR ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved