Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BLF7G27L-100 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BLF7G27L-100

Technologia: LDMOS

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 100

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 28

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 28

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BLF7G27L-100 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT502A

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BLF7G27L-135 , BLF7G27L-150P , BLF7G27L-200PB , BLF7G27LS-140 , BLF7G27LS-150P , BLF879P , BLS6G2731-6G , BLS6G2933P-200 , BSH202 , BSP110 , BUK6207-55C , BUK6212-40C , BUK6213-30C , BUK6226-75C , BUK653R2-55C , BUK653R7-30C , BUK6E4R0-75C ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved