Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BLF6G38-50 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BLF6G38-50

Technologia: LDMOS

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 50

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 28

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 16.5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BLF6G38-50 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.29

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT502A

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BLF6G38LS-100 , BLF6G38S-25 , BLF7G10L-250 , BLF7G20L-200 , BLF7G20L-250P , BLF7G22L-100P , BLF878 , BLF888 , 2SK1745 , 2SJ559 , BSH201 , BSH207 , BSP100 , BSP130 , BSS84AKM , BSS84AKW , BUK652R6-40C ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved