Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BLF6G21-10G - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BLF6G21-10G

Technologia: LDMOS

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 10

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 28

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.1

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BLF6G21-10G (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.4

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT538A

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BLF6G22-180PN , BLF6G22-45 , BLF6G22L-40BN , BLF6G22LS-180PN , BLF6G22LS-180RN , BLF6G27-45 , BLF7G21LS-160P , BLF7G22LS-100P , BLF7G27LS-75P , BLF879P , BLM6G22-30G , BLS2933-100 , BLS6G2731-6G , BLS6G2735L-30 , 2SK3408 , BSH111 , BSS84AK ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved