Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BLF647 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BLF647

Technologia: LDMOS

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 120

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 28

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 18

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BLF647 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.16

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT540A

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BLF6G10-135RN , BLF6G10-200RN , BLF6G10-45 , BLF6G10LS-160RN , BLF6G10LS-200RN , BLF6G15LS-500H , BLF6G27-135 , BLF6G27LS-135 , BLF7G20LS-140P , BLF7G22L-100P , BLF7G27LS-200PB , BLF871 , BLF878 , BLF884P , BLL6H0514LS-130 , BLM6G10-30 , BLS7G3135LS-350P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved