Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2N7002P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2N7002P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.36

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N7002P (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO236AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2N7002PS , 2N7002PV , 2N7002PW , BF1108R , BF1118 , BF1202R , BLA1011S-200R , BLD6G22L-50 , BLF278 , BLF404 , BLF6G10LS-260PRN , BLF6G15L-250PBRN , BLF6G15L-500H , BLF6G20-180RN , BLF6G22-45 , BLF6G22LS-130 , BLF6G38LS-50 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved