Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FCP110N65F - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FCP110N65F

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 357

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 650

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 35

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FCP110N65F (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.11

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: MMIX1F520N075T2 , MMIX1T600N04T2 , VBH40-05B , VMK165-007T , VMK90-02T2 , VMO1600-02P , BF1202 , BF1205C , BLA1011-2 , BLA6G1011-200R , BLF248 , BLF369 , BLF3G21-6 , BLF544 , BLF6G10-200RN , BLF6G10LS-135RN , BLF6G22-180RN ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved