Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTY18P10T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTY18P10T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 83

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 18

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTY18P10T (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 62

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.12

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTY1N100P , IXTY1N80P , IXTY1R4N100P , IXTY1R6N50P , IXTY26P10T , IXTY44N10T , VMO1200-01F , VWM270-0075X2 , BF1118W , BF1202R , BLA1011-10 , BLA1011-300 , BLA1011S-200R , BLD6G21L-50 , BLF2425M7L250P , BLF245B , BLF6G10-160RN ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved