Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTV86N25T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTV86N25T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 540

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 86

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTV86N25T (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 156

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.037

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PLUS220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTV96N25T , IXTX170P10P , IXTX17N120L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IXTX90N25L2 , IXTY3N60P , IXTY5N50P , VMM300-03F , VMO1600-02P , BF1118R , BF1201R , BF1202 , BF1204 , BF1212WR , BF904AWR , BLF242 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved