Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTU5N50P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTU5N50P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 89

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTU5N50P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 400

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.4

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO251

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTV02N250S , IXTV102N20T , IXTV110N25TS , IXTV200N10TS , IXTV22N50P , IXTV26N50P , IXTX8N150L , IXTY02N120P , IXTY2N60P , IXTY44N10T , VMM1500-0075X2 , VMM85-02F , VMO1200-01F , VMO60-05F , 2N7002PV , BF1108 , BF1212R ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved