Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTT50P085 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTT50P085

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 85

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 50

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTT50P085 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 180

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.055

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO268

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTT50P10 , IXTT60N10 , IXTT60N20L2 , IXTT6N120 , IXTT72N10 , IXTT88N15 , IXTV250N075TS , IXTV270N055T2S , IXTX46N50L , IXTX90N25L2 , IXTY2N100P , IXTY32P05T , IXTY3N60P , IXTY50N085T , MMIX1T600N04T2 , VKM60-01P1 , 2N7002PT ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved