Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTT110N10L2 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTT110N10L2

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 600

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 110

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTT110N10L2 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 230

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.018

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO268

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTT110N10P , IXTT120N15P , IXTT12N140 , IXTT16N50D2 , IXTT16P60P , IXTT26N60P , IXTT82N25P , IXTT96N20P , IXTV22N60P , IXTV26N50P , IXTX40P50P , IXTX600N04T2 , IXTX8N150L , IXTY01N100D , IXTY1N80P , IXTY1R6N50D2 , MMIX1T550N055T2 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved