Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTQ69N30P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTQ69N30P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 500

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 300

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 69

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTQ69N30P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 330

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.049

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3P

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTQ69N30PM , IXTQ75N10P , IXTQ76N25T , IXTQ88N28T , IXTQ88N30P , IXTR20P50P , IXTT26N50P , IXTT30N60L2 , IXTT74N20P , IXTT88N15 , IXTV22N50PS , IXTV230N85TS , IXTV250N075TS , IXTV26N60PS , IXTX170P10P , IXTX22N100L , IXTY1N80 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved