Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTQ26P20P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTQ26P20P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 26

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTQ26P20P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 240

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.17

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3P

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTQ280N055T , IXTQ30N50L2 , IXTQ30N50P , IXTQ36N30P , IXTQ36N50P , IXTQ460P2 , IXTR200N10P , IXTR48P20P , IXTT1N100 , IXTT26N60P , IXTT72N20 , IXTT75N15 , IXTT82N25P , IXTT90P10P , IXTV102N20T , IXTV200N10T , IXTX110N20L2 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved