Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTQ130N10T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTQ130N10T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 360

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 130

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTQ130N10T (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 67

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0091

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3P

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTQ130N15T , IXTQ14N60P , IXTQ150N06P , IXTQ160N085T , IXTQ160N10T , IXTQ200N075T , IXTQ450P2 , IXTQ50N25T , IXTQ96N15P , IXTR20P50P , IXTT170N10P , IXTT24N50Q , IXTT26N50P , IXTT30N50L2 , IXTT60N10 , IXTT69N30P , IXTV03N400S ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved