Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTP6N100D2 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTP6N100D2

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1000

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 6

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTP6N100D2 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 2.2

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTP6N50D2 , IXTP70N075T2 , IXTP70N085T , IXTP76P10T , IXTP7N60P , IXTP90N055T , IXTQ200N06P , IXTQ22N50P , IXTQ40N50L2 , IXTQ460P2 , IXTQ90N15T , IXTR16P60P , IXTR200N10P , IXTR36P15P , IXTT120N15P , IXTT16N20D2 , IXTT52N30P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved