Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTP3N110 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTP3N110

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTP3N110 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 700

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 4

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTP3N120 , IXTP3N50P , IXTP3N60P , IXTP44P15T , IXTP450P2 , IXTP50N20PM , IXTP8N50PM , IXTP98N075T , IXTQ170N10P , IXTQ200N075T , IXTQ36P15P , IXTQ44N50P , IXTQ450P2 , IXTQ48N20T , IXTQ75N10P , IXTQ86N25T , IXTT11P50 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved