Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTP1R6N100D2 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTP1R6N100D2

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 100

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1000

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 1.6

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTP1R6N100D2 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 10

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTP1R6N50D2 , IXTP200N055T2 , IXTP200N075T , IXTP220N075T , IXTP22N50PM , IXTP2N100 , IXTP50N20P , IXTP56N15T , IXTP80N10T , IXTP90N055T , IXTQ16N50P , IXTQ182N055T , IXTQ200N06P , IXTQ220N055T , IXTQ30N50L2 , IXTQ32P20T , IXTQ74N20P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved