Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTP120N075T2 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTP120N075T2

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 250

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 75

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 120

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTP120N075T2 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 50

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0077

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTP120P065T , IXTP12N50PM , IXTP130N065T2 , IXTP14N60P , IXTP14N60PM , IXTP16N50PM , IXTP28P065T , IXTP2R4N50P , IXTP48N20T , IXTP50N20PM , IXTP7N60PM , IXTP88N085T , IXTP8N50PM , IXTP90N15T , IXTQ14N60P , IXTQ160N075T , IXTQ30N50L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved