Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTN40P50P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTN40P50P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 890

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 40

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTN40P50P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 477

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.23

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT227

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTN46N50L , IXTN5N250 , IXTN600N04T2 , IXTN90N25L2 , IXTN90P20P , IXTP08N100D2 , IXTP16N50P , IXTP18N60PM , IXTP240N055T , IXTP2N100 , IXTP460P2 , IXTP4N80P , IXTP50N20P , IXTP52P10P , IXTP70N075T2 , IXTP76N25T , IXTQ140N10P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved