Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTK32P60P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTK32P60P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 890

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 32

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTK32P60P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 480

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.35

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO264

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTK34N80 , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 , IXTK62N25 , IXTK75N30 , IXTL2x180N10T , IXTP06N120P , IXTP102N15T , IXTP15N50L2 , IXTP16N50PM , IXTP230N075T2 , IXTP26P10T , IXTP28P065T , IXTP2N80P , IXTP3N50P , IXTP44N10T , IXTP6N50P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved