Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTH86N25T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTH86N25T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 540

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 86

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTH86N25T (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 156

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.037

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTH88N15 , IXTH90N15T , IXTH90P10P , IXTJ36N20 , IXTK100N25P , IXTK140N20P , IXTK90P20P , IXTN120N25 , IXTP02N120P , IXTP08N100D2 , IXTP152N085T , IXTP160N075T , IXTP16N50P , IXTP180N10T , IXTP200N055T2 , IXTP220N055T , IXTP3N50D2 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved