Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTH40N50L2 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTH40N50L2

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 540

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 40

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTH40N50L2 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 500

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.17

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTH41N25 , IXTH440N055T2 , IXTH44P15T , IXTH48P20P , IXTH4N150 , IXTH60N15 , IXTK128N15 , IXTK170P10P , IXTK82N25P , IXTL2x180N10T , IXTP01N100D , IXTP05N100M , IXTP06N120P , IXTP08N50D2 , IXTP12N50PM , IXTP140P05T , IXTP1R6N50P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved