Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTH20P50P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTH20P50P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 460

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 20

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTH20P50P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 406

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.45

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTH220N055T , IXTH22N50P , IXTH230N085T , IXTH24P20 , IXTH250N075T , IXTH30N25 , IXTH60N10 , IXTH6N120 , IXTK110N20L2 , IXTK140N20P , IXTK80N25 , IXTK90N15 , IXTK90P20P , IXTL2x240N055T , IXTN5N250 , IXTN8N150L , IXTP12N50P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved