Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTH110N10L2 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTH110N10L2

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 600

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 110

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTH110N10L2 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 230

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.018

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTH110N25T , IXTH12N100L , IXTH12N100Q , IXTH130N15T , IXTH130N20T , IXTH16N10D2 , IXTH300N04T2 , IXTH30N60P , IXTH50N25T , IXTH60N15 , IXTK102N30P , IXTK120N25 , IXTK128N15 , IXTK160N20 , IXTK46N50L , IXTK60N50L2 , IXTN550N055T2 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved