Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTC200N075T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTC200N075T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 75

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 110

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTC200N075T (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 80

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0055

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ISOPLUS220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTC200N085T , IXTC220N055T , IXTC220N075T , IXTC26N50P , IXTC280N055T , IXTF1N250 , IXTH160N15T , IXTH180N085T , IXTH26N60P , IXTH30N25 , IXTH500N04T2 , IXTH50P10 , IXTH60N10 , IXTH68P20T , IXTH90N15T , IXTH96P085T , IXTK40P50P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved