Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTA6N50D2 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTA6N50D2

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 6

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTA6N50D2 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTA6N50P , IXTA70N085T , IXTA75N10P , IXTA7N60P , IXTA80N10T , IXTA90N055T2 , IXTF03N400 , IXTF280N055T , IXTH150N17T , IXTH16N10D2 , IXTH260N055T2 , IXTH28N50Q , IXTH300N04T2 , IXTH30N50P , IXTH440N055T2 , IXTH48N20 , IXTH88N30P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved