Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTA32N20T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTA32N20T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 200

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 32

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTA32N20T (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 110

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.078

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTA32P05T , IXTA36N30P , IXTA36P15P , IXTA3N120 , IXTA3N50D2 , IXTA48P05T , IXTA90N055T , IXTA98N075T7 , IXTC62N15P , IXTF1N250 , IXTH140P05T , IXTH160N075T , IXTH160N15T , IXTH16P20 , IXTH22N50P , IXTH24N50Q , IXTH420N04T2 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved