Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTA1R4N120P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTA1R4N120P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 86

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 1.4

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTA1R4N120P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 900

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 13

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTA1R6N100D2 , IXTA200N055T2 , IXTA200N055T2-7 , IXTA200N085T7 , IXTA220N04T2 , IXTA240N055T , IXTA48N20T , IXTA50N28T , IXTA80N12T2 , IXTA90N055T2 , IXTC36P15P , IXTD110N25T-8W , IXTF03N400 , IXTF230N085T , IXTH12N100L , IXTH130N10T , IXTH220N075T ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved