Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

3SK123AK - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 3SK123AK

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 18

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.025

Ograniczenie temperatury (Tj): 125

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 3SK123AK (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 2.5

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 200

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO131

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 3SK123AL , 3SK125Q , 3SK128P , 3SK131 , 3SK132 , 3SK137V , 3SK182 , 3SK194 , 3SK53 , 3SK66 , 3SK88K , 3SK96 , 40600 , 40604 , 75321S , 75333G , APT1001RBN ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved