Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTA120P065T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTA120P065T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 298

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 65

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 120

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTA120P065T (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 53

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.01

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTA12N50P , IXTA130N10T , IXTA130N10T7 , IXTA152N085T , IXTA152N085T7 , IXTA16N50P , IXTA230N075T2-7 , IXTA26P10T , IXTA3N60P , IXTA48P05T , IXTA80N10T7 , IXTA88N085T7 , IXTA90N055T , IXTA96P085T , IXTC220N055T , IXTC250N075T , IXTH120P065T ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved