Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXKN45N80C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXKN45N80C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 380

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 800

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 44

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXKN45N80C (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 500

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.074

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT227B

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXKN75N60C , IXKP10N60C5M , IXKP13N60C5 , IXKP24N60C5 , IXKP24N60C5M , IXTA08N100P , IXTA160N10T7 , IXTA180N10T7 , IXTA220N055T , IXTA240N055T , IXTA3N50P , IXTA44P15T , IXTA48N20T , IXTA50N20P , IXTA70N085T , IXTA76P10T , IXTC200N10T ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved