Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFX64N60P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFX64N60P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1040

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 64

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFX64N60P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 200

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.096

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PLUS247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFX64N60P3 , IXFX66N50Q2 , IXFX73N30Q , IXFX80N50Q3 , IXFX80N60P3 , IXKC19N60C5 , IXTA08N100D2 , IXTA10N60P , IXTA160N04T2 , IXTA16N50P , IXTA220N04T2-7 , IXTA220N075T7 , IXTA230N075T2-7 , IXTA260N055T2 , IXTA36N30P , IXTA3N110 , IXTA70N075T2 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved