Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFX26N100P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFX26N100P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 780

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1000

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 26

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFX26N100P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 300

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.39

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PLUS247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFX26N120P , IXFX27N80Q , IXFX30N100Q2 , IXFX32N100Q3 , IXFX32N50 , IXFX44N50F , IXKC15N60C5 , IXKF40N60SCD1 , IXKR40N60C , IXTA08N100P , IXTA15P15T , IXTA160N085T , IXTA160N10T7 , IXTA180N085T7 , IXTA200N055T2 , IXTA200N085T , IXTA32P20T ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved