Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFV36N50PS - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFV36N50PS

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 540

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 36

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFV36N50PS (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 200

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.17

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PLUS220SMD

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFV52N30P , IXFV74N20P , IXFV74N20PS , IXFX120N25 , IXFX120N25P , IXFX180N25T , IXFX420N10T , IXFX48N60P , IXFX94N50P2 , IXKC19N60C5 , IXKR25N80C , IXTA05N100P , IXTA08N100D2 , IXTA100N04T2 , IXTA130N10T , IXTA14N60P , IXTA1R6N50D2 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved