Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFV12N120P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFV12N120P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 543

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFV12N120P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 300

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.35

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PLUS220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFV12N120PS , IXFV12N80PS , IXFV12N90P , IXFV15N100P , IXFV15N100PS , IXFV20N80PS , IXFX180N15P , IXFX21N100Q , IXFX32N80Q3 , IXFX44N50F , IXFX88N20Q , IXFZ520N075T2 , IXKC15N60C5 , IXKC25N80C , IXKP10N60C5M , IXKP20N60C5M , IXTA130N065T2 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved