Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFT44N50P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFT44N50P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 650

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 44

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFT44N50P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 200

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.14

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO268

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFT50N30Q3 , IXFT52N50P2 , IXFT58N20 , IXFT66N20Q , IXFT68N20 , IXFT80N085 , IXFV20N80P , IXFV26N50P , IXFX140N25T , IXFX180N25T , IXFX32N80P , IXFX38N80Q2 , IXFX420N10T , IXFX44N80Q3 , IXFX66N50Q2 , IXFX80N50P , IXKP10N60C5 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved